CIFRE - Correlation between defects induce by ion implantation and Imager dark current response (F/H

Chez STMicroelectronics, nous sommes convaincus que la technologie est un moteur d\u2019innovation et a un impact positif pour les entreprises, les personnes et la soci\u00e9t\u00e9. \n\nEn tant qu\u2019acteur mondial des semiconducteurs, nos technologies de pointe et nos composants \u00e9lectroniques sont invisibles mais au c\u0153ur du monde d\u2019aujourd\u2019hui. \n\nRejoindre ST, c\u2019est int\u00e9grer une entreprise internationale riche de plus de 115 nationalit\u00e9s, pr\u00e9sente dans 40 pays, et rassemblant plus de 50 000 talents passionn\u00e9s et engag\u00e9s, tous unis par la volont\u00e9 de cr\u00e9er et d\u2019inventer la technologie de demain. \n\nInnover demande bien plus que des comp\u00e9tences techniques : cela n\u00e9cessite des personnes inspirantes, qui savent collaborer avec respect et enthousiasme. Des collaborateurs anim\u00e9s par la passion, pr\u00eats \u00e0 remettre en question le statu quo, \u00e0 faire avancer l\u2019innovation et \u00e0 r\u00e9v\u00e9ler leur plein potentiel. \n\nVenez vivre cette aventure avec nous et contribuez \u00e0 construire un futur plus intelligent et plus durable, en alliant responsabilit\u00e9 et innovation. \n\n \n \n\nNotre technologie commence avec vous. \n\nL\u2019utilisation des capteurs d\u2019image CMOS est devenue tr\u00e8s r\u00e9pandue ces derni\u00e8res ann\u00e9es pour diverses applications dans les smartphones, tablettes, automobiles ou encore les objets connect\u00e9s. Les performances de tels capteurs sont en partie d\u00e9pendantes de la pr\u00e9sence de d\u00e9fauts au sein de la photodiode qui peuvent \u00eatre structuraux et localis\u00e9s dans le silicium, ou aux interfaces Si/SiO2 du dispositif.\n\n \n\nCette th\u00e8se s\u2019int\u00e9grera au d\u00e9veloppement des nouvelles technologies d\u2019imageurs sur le site de Crolles 300mm au sein de l\u2019\u00e9quipe R\u0026D. Son sujet s\u2019inscrit dans l\u0027objectif d\u2019une meilleure compr\u00e9hension des interactions entre les performances des imageurs et les d\u00e9fauts r\u00e9siduels induits par les \u00e9tapes d\u2019implantation ionique n\u00e9cessaires \u00e0 la r\u00e9alisation de diff\u00e9rentes r\u00e9gions dop\u00e9es de la photodiode. Elle devra permettre de relier l\u2019impact de la pr\u00e9sence/densit\u00e9 de d\u00e9fauts r\u00e9siduels avec les propri\u00e9t\u00e9s de nos photodiodes planaires, verticales, ou \u00e0 avalanche comme le courant d\u2019obscurit\u00e9. Ces d\u00e9fauts couvrent un large spectre, allant des contaminants m\u00e9talliques, aux d\u00e9fauts ponctuels (interstitiels et lacunes), aux clusters impliquant les impuret\u00e9s dopantes ou pr\u00e9sentes dans le substrat (oxyg\u00e8ne, carbone), et les d\u00e9fauts \u00e9tendus (d\u00e9fauts {113}, boucles de dislocations).\n\n \n\nPour cette \u00e9tude, m\u00ealant th\u00e9orie et exp\u00e9rience, l\u2019\u00e9tudiant sera directement en lien avec les \u00e9quipes de R\u0026D au sein de ST et aura acc\u00e8s aux r\u00e9sultats de lots \u00e9lectriques lui permettant d\u2019extraire les courbes de courant d\u2019obscurit\u00e9 et d\u2019\u00e9nergie d\u2019activation (Ea) dans des pixels. Les conditions d\u2019implantations pourront \u00eatre utilis\u00e9es pour faire fluctuer la quantit\u00e9 de d\u00e9fauts r\u00e9siduels et ainsi aider \u00e0 la compr\u00e9hension des diff\u00e9rents ph\u00e9nom\u00e8nes mis en jeu. De plus, il pourra se baser sur l\u2019expertise des laboratoires CNRS-LAAS, ISAE-SUPAERO et leurs connaissances en termes de caract\u00e9risation, de simulation ab-initio et TCAD. Les caract\u00e9risations sur \u00e9chantillons : structurale (TEM), optique (Photoluminescence en mode spectroscopie ou imagerie), ou \u00e9lectrique (DLTS) permettront de d\u00e9finir l\u2019origine des d\u00e9gradations de courant d\u2019obscurit\u00e9 observ\u00e9es en fonction du type de d\u00e9fauts en pr\u00e9sence; les simulations, de mieux comprendre le comportement des d\u00e9fauts ou contaminants m\u00e9talliques et leur interaction dans le band gap en fonction des conditions de polarisation du capteur d\u2019image.\n\n \n\nVOTRE PROFIL\n\n\u2022BAC + 5\n\n\u2022Formation Mat\u00e9riaux et/ou Micro\u00e9lectronique, Physique des Mat\u00e9riaux\n\n \n\nTYPE DE CONTRAT\n\n\u2022Bourse CIFRE\n\n\u2022Dur\u00e9e/Dates: sept 2026 \u2013 Ao\u00fbt 2029\n\n \n\nVOTRE LIEU DE TRAVAIL\n\n70% @ Toulouse (LAAS et ISAE) + 30% @ STCrolles 300mm\n\nST est fi\u00e8re d\u2019\u00eatre certifi\u00e9e parmi les 17 entreprises mondiales \u00ab Global Top Employers 2025 \u00bb et d\u2019\u00eatre la premi\u00e8re et unique entreprise de semi-conducteurs \u00e0 recevoir cette distinction. ST a \u00e9t\u00e9 distingu\u00e9e dans ce classement gr\u00e2ce \u00e0 sa d\u00e9marche d\u2019am\u00e9lioration continue, se d\u00e9marquant notamment par son engagement en mati\u00e8re d\u2019\u00e9thique et d\u2019int\u00e9grit\u00e9, de sens et de valeurs, d\u2019organisation et de gestion du changement, ainsi que par sa strat\u00e9gie commerciale et ses performances. En France, ST a \u00e9galement obtenu la lab\u00e9lisation Happy Trainee 2025. \n\nNous cultivons un environnement de travail inclusif et diversifi\u00e9, o\u00f9 la discrimination n\u2019a pas sa place. Notre ambition est de recruter et de fid\u00e9liser des talents refl\u00e9tant la richesse des soci\u00e9t\u00e9s dans lesquelles nous \u00e9voluons.\n\nNous nous engageons \u00e0 l\u2019\u00e9quit\u00e9 dans le d\u00e9veloppement des carri\u00e8res, les opportunit\u00e9s professionnelles et la r\u00e9mun\u00e9ration.\n\nChez ST, nous encourageons les candidats qui ne remplissent pas forc\u00e9ment tous les crit\u00e8res \u00e0 postuler, car nous croyons en la richesse des parcours vari\u00e9s et offrons de r\u00e9elles opportunit\u00e9s d\u2019apprentissage et d\u2019\u00e9volution. La diversit\u00e9, l\u2019\u00e9quit\u00e9 et l\u2019inclusion sont des valeurs fondamentales qui fa\u00e7onnent notre culture d\u2019entreprise.\n\nPour d\u00e9couvrir toutes nos opportunit\u00e9s, rendez-vous sur st.com/careers.\n